半导体物理学简明教程

第1章晶体结构与晶体结合
1.1 晶体结构
1.1.1 晶格和晶胞
1.1.2 原胞原基矢量晶格平移矢量
1.2 晶列与晶面
1.2.1 晶向指数
1.2.2 晶面指数
1.3 倒格子
1.4 晶体结合
1.4.1 固体的结合形式和化学键
1.4.2 离子结合离子键
1.4.3 共价结合共价键
1.4.4 金属结合金属键
1.4.5 范德瓦尔斯结合范德瓦尔斯键
1.5 典型半导体的晶体结构第1章晶体结构与晶体结合
1.1 晶体结构
1.1.1 晶格和晶胞
1.1.2 原胞原基矢量晶格平移矢量
1.2 晶列与晶面
1.2.1 晶向指数
1.2.2 晶面指数
1.3 倒格子
1.4 晶体结合
1.4.1 固体的结合形式和化学键
1.4.2 离子结合离子键
1.4.3 共价结合共价键
1.4.4 金属结合金属键
1.4.5 范德瓦尔斯结合范德瓦尔斯键
1.5 典型半导体的晶体结构
1.5.1 金刚石型结构
1.5.2 闪锌矿型结构
1.5.3 纤锌矿型结构
思考题与习题

第2章半导体中的电子状态
2.1 周期性势场
2.2 布洛赫Bloch）定理
2.2.1 单电子近似
2.2.2 布洛赫定理
2.2.3 布里渊区
2.3 周期性边界条件玻恩冯-卡曼Born.von-Karman边界条件
2.4 能带
2.4.1 周期性势场中电子的能量谱值
2.4.2 能带图及其画法
2.5 外力作用下电子的加速度有效质量
2.5.1 外力作用下电子运动状态的改变
2.5.2 有效质量
2.6 等能面、主轴坐标系
2.7 金属、半导体和绝缘体的区别
2.8 导带电子和价带空穴
2.9 硅、锗、砷化镓的能带结构
2.9.1 导带能带图
2.9.2 价带能带图
2.10 半导体中的杂质和杂质能级
2.10.1 替位式杂质和间隙式杂质
2.10.2 施主杂质和施主能级 N型半导体
2.10.3 受主杂质和受主能级 P型半导体
2.10.4 III-V族化合物中的杂质能级
2.10.5 等电子杂质等电子陷阱
2.11 类氢模型
2.12 深能级
2.13 缺陷能级
2.14 宽禁带半导体的自补偿效应
思考题与习题

第3章载流子的统计分布
3.1 能态密度
3.1.1 导带能态密度
3.1.2 价带能态密度
3.2 分布函数
3.2.1 费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布与费米能级
3.2.2 玻耳兹曼分布
3.3 能带中的载流子浓度
3.3.1 导带电子浓度
3.3.2 价带空穴浓度
3.4 本征半导体
3.5 杂质半导体中的载流子浓度
3.5.1 杂质能级上的载流子浓度
3.5.2 N型半导体
3.5.3 P型半导体
3.6 杂质补偿半导体
3.7 简并半导体
3.7.1 简并半导体杂质能级和能带的变化
3.7.2 简并半导体的载流子浓度
思考题与习题

第4章电荷输运现象
4.1 格波与声子
4.1.1 格波
4.1.2 声子
4.2 载流子的散射
4.2.1 平均自由时间与弛豫时间
4.2.2 散射机构
4.3 漂移运动迁移率电导率
4.3.1 平均漂移速度与迁移率
4.3.2 漂移电流电导率
4.4 多能谷情况下的电导现象
4.5 电流密度和电流
4.5.1 扩散流密度与扩散电流
4.5.2 漂移流密度与漂移电流
4.5.3 电流密度与