本书较全面地介绍了两种典型宽禁带半导体材料在核辐射探测器中的应用，主要论述了宽禁带核辐射探测器制备及应用中的相关基础理论。本书首先介绍了近年来碳化硅、金刚石这两种颇具代表性的宽禁带半导体材料用于核辐射探测的新进展。然后介绍了辐射源、射线与探测介质相互作用的基础知识以及碳化硅、金刚石核辐射探测器的基本工作原理与结构。最后本书着重论述了碳化硅、金刚石核辐射探测器的制备过程与辐射响应，内容包括:探测器材料制备与分析、器件制备工艺与表征、不同核辐射粒子的探测器能谱响应仿真与实验验证，以及缺陷影响与辐照退化等。本书可作为与半导体核探测相关的研究生的教材，也可供从事核探测方面工作的技术人员阅读参考。
第1章绪论
1.1核辐射探测在特别环境与强辐射场应用中的作用
1.2核辐射探测器的发展简介
1.3宽禁带半导体核辐射探测器总体进展综述(研究现状)
1.3.1金刚石核辐射探测器的发展及应用
1.3.2SIC核辐射探测器的发展及应用
参考文献
第2章宽禁带半导体核辐射探测器的探测原理
2.1核辐射的基本性质
2.2粒子与物质的相互反应
2.3宽禁带半导体核辐射探测器的基本结构和工作原理
2.3.1探测器结构与工作原理
2.3.2基本辐射探测系统
参考文献
第3章金刚石核辐射探测器
3.1核辐射探测器级金刚石材料的生长方法
3.1.1核辐射探测器的载流子输运
3.1.2高质量CVD单晶金刚石材料生长
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