本书围绕阻变存储器中的氧离子扩散动力学展开研究，以阻变存储器常用介质层Ta2O5为主要研究对象，采用密度泛函理论的性原理计算与实验研制相结合的方法，研究氧原子扩散势垒对氧空位导电通道的调控机制，分别用理论计算和实验探索Ta2O5中子半径、离子电负性、氧空位之间相互作用对原子扩散势垒的调控规律。基于此规律，实验制备相应阻变存储器器件，研究调控手段影响下的器件操作电压、阻态稳定性参数，获取掺杂离子半径、离子电负性、氧空位之间相互作用—扩散势垒—操作电压、阻态稳定性之间的关系，进一步得到原子扩散势垒—导电通道的关系，明确扩散势垒对器件导电通道调控机制。
本书可供微电子专业、集成电路专业本科生、研究生，以及从事半导体存储器设计的人员和大专院校相关专业教师参考使用。
前言
第1章绪论
1.1引言
1.2阻变存储研究进展
1.3电阻开关机制分类
1.4离子扩散动力学研究进展
1.5亟待解决的主要问题
第2章氧离子扩散调制的W/Ta2O5/ITO阻变存储器开关行为研究
2.1引言
2.2W/Ta2O5/ITO器件制备
2.3ITO电极材料性质分析
2.4氧离子扩散调制双极性开关性质分析
2.5氧离子扩散调制器件互补行为分析
2.6小结
第3章Ta2O5中氧离子扩散动力学研究
3.1引言
3.2计算方法和计算模型
3.3固体扩散理论介绍
3.4扩散激活能
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