本书为"十二五"普通高等教育本科国家级规划教材。本书是在第1版的基础上修订而成，以简明扼要的方式全面地介绍了半导体物理学的基础知识及其新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷，载流子的统计分布及其运动规律，非热平衡状态下的半导体，PN结，金属-半导体接触，异质结和纳米结构、半导体表面与MIS结构，以及半导体效应。本书适用于本科院校电子科学与技术和微电子学专业，也可供相近专业的研究生和工程技术人员阅读和参考。
前言
绪论
章半导体的物质结构和能带
结构
1.1半导体的原子结合与晶体结构
1.1.1元素的电负性与原子的结合力
1.1.2共价结合与正四面体结构
1.1.3主要半导体的晶体结构
1.2半导体的电子状态和能带
1.2.1能级与能带
1.2.2零势场与周期势场中的电子
状态
1.2.3能带的填充与晶体的导电性及
空穴的概念
1.3半导体中载流子的有效质量
1.3.1能带极值附近的E(k)函数
1.3.2电子和空穴的有效质量
1.3.3各向异性半导体中载流子的有效
质量
1.4半导体中的杂质和缺陷能级
1.4.1杂质的施、受主作用及其能级
1.4.2深能级杂质
1.4.3缺陷的施、受主作用及其能级
1.5典型半导体的能带结构
1.5.1能带结构的基本内容及其表征
1.5.2主要半导体的能带结构
1.6半导体能带工程概要
1.6.1半导体固溶体
1.6.2利用固溶体技术剪裁能带结构
1.6.3能带结构的量子尺寸效应
习题
第2章半导体中的载流子及其输运
性质
2.1载流子的漂移运动与半导体的
电导率
2.1.1欧姆定律的微分形式
2.1.2半导体的电导率
2.2热平衡状态下的载流子统计
2.2.1热平衡状态下的电子和空穴
2.2.2费米分布函数与费米能级
2.2.3费米分布函数与玻耳兹曼分布
函数
2.2.4非简并半导体的载流子密度
2.2.5本征半导体的载流子密度
2.3载流子密度对杂质和温度的依赖性
2.3.1杂质电离度
2.3.2非简并半导体载流子密度随温度
的变化
2.3.3简并半导体
2.4载流子迁移率
2.4.1恒定电场下载流子漂移运动的微观
描述
2.4.2决定载流子迁移率的物理因素
2.4.3有效质量各向异性时的载流子
迁移率
2.5载流子散射及其对迁移率的影响
2.5.1散射的物理本质
2.5.2电离杂质散射及其对迁移率的
影响
2.5.3晶格振动散射及其对迁移率的
影响
2.5.4其他散射机构
2.6半导体的电阻率及其与掺杂浓度和
温度的关系
2.6.1半导体的电阻率
2.6.2电阻率与掺杂浓度的关系
2.6.3电阻率与温度的关系
2.7强电场中的载流子输运
2.7.1强电场效应
2.7.2热电子与速度饱和
2.7.3负微分迁移率
2.7.4耿氏效应及其应用
2.7.5强电场下的速度过冲和准弹道
输运
2.8半导体的热导率
2.8.1热导率的定义
2.8.2半导体中的导热机构
2.8.3维德曼-弗兰茨定律
习题
第3章非热平衡状态下的半导体
3.1半导体的非热平衡状态
3.1.1额外载流子的产生与复合
3.1.2额外载流子的寿命
3.1.3准费米能级
3.2复合理论
3.2.1直接辐射复合
3.2.2通过单一复合中心的间接复合
3.2.3表面复合
3.2.4俄歇复合
3.2.5陷阱效应及其对复合的影响
3.3额外载流子的运动
3.3.1额外载流子的扩散与扩散方程
